陶瓷金属化是在陶瓷表面牢固地粘附一层金属薄膜，使之实现陶瓷与金属之间的焊接，现有钼锰法、镀金法、镀铜法、镀锡法、镀镍法、LAP法（激光后金属镀）等多种陶瓷金属化工艺。
陶瓷金属化产品的陶瓷材料为分为96白色氧化铝陶瓷和93黑色氧化铝陶瓷，成型方法为流延成型。类型主要是金属化陶瓷基片，也可成为金属化陶瓷基板。金属化方法有厚膜法和共烧法。产品尺寸精密，翘曲小；金属和陶瓷接合力强；金属和陶瓷接合处密实，散热性更好。可用于LED散热基板，陶瓷封装，电子电路基板等。
陶瓷在金属化与封接之前，应按照一定的要求将已烧结好的瓷片进行相关处理，以达到周边无毛刺、无凸起，瓷片光滑、洁净的要求。在金属化与封接之后，要求瓷片沿厚度的周边无银层点。
由于陶瓷材料表面结构与金属材料表面结构不同，焊接往往不能润湿陶瓷表面，也不能与之作用而形成牢固的黏结，陶瓷与金属的封接是一种特殊的工艺方法，即金属化的方法：先在陶瓷表面牢固的黏附一层金属薄膜，从而实现陶瓷与金属的焊接。用特制的玻璃焊料可直接实现陶瓷与金属的焊接。
LED封装方式是以芯片借由打线、共晶或覆晶的封装技术与其散热基板连结而成LED芯片，再将芯片固定于系统板上连结成灯源模组。
目前，LED封装方法大致可区分为透镜式以及反射杯式，其中透镜的成型可以是模塑成型透镜黏合成型；而反射杯式芯片则多由混胶、点胶、封装成型；近年来磊晶、固晶及封装设计逐渐成熟，LED的芯片尺寸与结构逐年微小化，高功率单颗芯片功率达1~3W，甚至是3W以上，当LED功率不断提升，对于LED芯片载版及系统电路版的散热及耐热要求，便日益严苛。
鉴于绝缘、耐压、散热与耐热等综合考量，氮化铝陶瓷基板成为以芯片次黏着技术的重要材料之一。其技术可分为厚膜工艺、低温共烧工艺与薄膜工艺等方式制成。厚膜工艺与低温共烧工艺，是利用网印技术与高温工艺烧结，易产生线路粗糙、与收缩比例问题，若针对线路越来越精细的高功率LED产品，或是要求对位准确的共晶或覆晶工艺生产的LED产品而言，厚膜与低温共烧的氮化铝陶瓷基板，己逐渐不敷使用。
为此，高散热系数薄膜陶瓷散热基板，运用溅镀、电／化学沉积，以及黄光微影工艺而成，具备金属线路、材料系统稳定等特性，适用于高功率、小尺寸、高亮度的LED的发展趋势，更是解决了共晶／覆晶封装工艺对陶瓷基板金属线路解析度与**度的严苛要求。当LED芯片以氮化铝陶瓷作为载板时，此LED模组的散热瓶颈则转至系统电路板，其将热能由LED芯片传至散热鰭片及大气中，随着LED芯片功能的逐渐提升，材料亦逐渐由FR-4转变至金属芯印刷电路基板，但随着高功率LED的需求进展，MCPCB材质的散热系数(2~4W/mk)无法用于更高功率的产品，为此，氮化铝陶瓷电路板的需求便逐渐普及，为确保LED产品在高功率运作下的材料稳定性与光衰稳定性，以氮化铝陶瓷作为散热及金属佈线基板的趋势已日渐明朗。氮化铝陶瓷材料目前成本高于MCPCB，如何利用氮化铝陶瓷高散热系数特性下，节省材料使用面积以降低生产成本，成为陶瓷LED发展的重要指标之一。近年来，以氮化铝陶瓷材料COB设计整合多晶封装与系统线路亦逐渐受到各封装与系统厂商的重视。
