后脉冲
限制当前InGaAs / InP APD性能的主要问题是所谓的后脉冲的存在增加了暗计数率。
当APD单光子探测器发生雪崩时，有一部分载流子会滞留在倍增层中，这些滞留的载流子随后释放的时候也会触发雪崩，产生非光子探测脉冲，这样的脉冲称为后脉冲。后脉冲会造成错误计数，而SNSPD无后脉冲。
后脉冲的这种杂散效应是由于在碰撞电离发生的结的高场区内陷阱能级引起的雪崩过程中电荷载流子的捕获而产生的。当随后释放时，这些捕获载流子可以触发所谓的后脉冲。对于InGaAs/ InPAPD，捕获电荷的寿命通常为几微秒。这些事件的概率也与填充陷阱的数量成正比，而填充陷阱的数量又与淬火发生前雪崩中穿过结的电荷成正比。通过确保快速淬灭雪崩可以限制总电荷。
还需要注意的是，降低APD的工作温度会延长捕获电荷的寿命。因此，高分辨率，必须谨慎选择冷却温度，以（zui）大程度地降低总暗计数概率（包括后脉冲）。对于当前的InGaAs / InP SPAD，（zui）佳温度通常约为220K。
雪崩光电二极管（APD）是一种高灵敏度的半导体电子设备，利用光电效应（图1）将光转换为电。可以将APD视为通过雪崩倍增提供内部第0一级增益的光电探测器。通过施加高的反向偏置电压，APD由于碰撞电离而出现出内部电流增益效应（雪崩效应）。通常，反向电压越高，增益越高。对于APD，反向电压始终低于击穿电压，并且APD的灵敏度不足以检测单个光子。二极管的击穿电压是使二极管反向导通的（zui）小反向电压。
光电二极管是一种光电探测器，能够根据工作模式将光转换成电流或电压。光电二极管与普通半导体二极管类似，只是它们可以暴露在外，可以通过窗口或光纤连接进行封装，从而使光到达器件的感光部分。许多专门用作光电二极管的二极管使用的是PIN结而不是p-n结，PIN结的二极管能够提高响应速度。光电二极管被设计成在反向偏置电压下工作。
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