EM增益--高灵敏度
EMCCD技术，有时也被称作"片上增益"技术，是一种全新的微弱光信号增强探测技术。它与普通的科学级CCD探测器的主要区别在于其读出寄存器后又接续有一串"增益寄存器"，它的电极结构不同于转移寄存器，信号电荷在这里得到增益。
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暗计数
在SAPD中，雪崩不仅由光子的吸收引起，而且还可以由结中发生的热，带间或捕获过程中产生的载流子随机触发。它们会引起自我触发效应，称为暗计数。
减少暗计数的（zui）简单方法是冷却探测器。这减少了热载流子的产生。因此，在低温下，暗计数主要由带间隧穿产生的载流子以及更重要的捕获电荷产生的载流子所控制。过高的偏置电压会增加暗计数的发生，增加了探测效率同时降低了时间抖动。因此，必须谨慎选择偏置电压的工作点。
在门控模式下，通常将这种效应量化为门持续每纳秒的暗计数概率。
例如：暗计数率：1350Hz，门宽20ns，触发频率10MHz；
门控暗计数：1350/（20x10M）。
到目前为止，通过后脉冲使用死时间的技术来降低暗计数增加。如果在探测到光子之后，SPAD两端的电压保持低于击穿电压的时间间隔大于陷阱寿命，则陷阱电平为空且不会触发雪崩。对于InGaAs/InPSPAD，典型的捕获时间在微秒范围内。在每次雪崩探测到光子之后，利用死区时间（=电压未升高到击穿电压以上的时间）来抑制雪崩，死区时间要比捕获电荷的寿命长。在100MHz的触发速率下，两个门之间的时间间隔为10ns。因此，1us的死区时间将抑制接下来的100个门，像增强型相机，并且（zui）大计数率将限制为1MHz，在门控模式下，可采取此方法。在自由运行模式下，死区时间会限制计数率。在死时间结束后，你能够无限制的探测光子，直到产生一个主电荷载体。
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